Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPD50R1K4CEBTMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPD50R1K4CEBTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Подробно описание:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12800606
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPD50R1K4CEBTMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™ CE
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
500 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 70µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
178 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
25W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO252-3
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IPD50R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPD50R1K4CEBTMA1-DG
Технически листове
IPD50R1K4CEBTMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CETR
IPD50R1K4CETR-DG
IPD50R1K4CECT-DG
IPD50R1K4CEDKR-DG
IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CEBTMA1DKR
INFINFIPD50R1K4CEBTMA1
IPD50R1K4CEDKR
2156-IPD50R1K4CEBTMA1-ITTR
IPD50R1K4CEBTMA1TR
SP000992072
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
RJK5033DPD-00#J2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Renesas Electronics Corporation
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
6000
Номер на част
RJK5033DPD-00#J2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.88
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
IPD60R1K4C6ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
19965
Номер на част
IPD60R1K4C6ATMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.31
Вид на замяна
Direct
НОМЕР НА ЧАСТ
IPD50R1K4CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4935
Номер на част
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.17
Вид на замяна
Direct
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPB100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IAUC120N04S6N009ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
IPD50N04S309ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3