Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPD50R500CEATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPD50R500CEATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Подробно описание:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12802989
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPD50R500CEATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™ CE
Състояние на продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
500 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 200µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
433 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
57W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO252-3
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IPD50R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPD50R500CEATMA1-DG
Технически листове
IPD50R500CEATMA1
Технически данни
IPD50R500CE Datasheet
500V CoolMOS CE Brief
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
IPD50R500CEATMA1TR
IPD50R500CEATMA1-DG
IPD50R500CEATMA1CT
SP001117704
IPD50R500CEATMA1DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
3 (168 Hours)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IPD50R500CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
21359
Номер на част
IPD50R500CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.31
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
SPD08N50C3ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
12211
Номер на част
SPD08N50C3ATMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.77
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF6602
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
IRFSL23N20D
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
MIC94031YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
IPI12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3