IPD70P04P409ATMA2
Номер на продукта на производителя:

IPD70P04P409ATMA2

Product Overview

Производител:

Infineon Technologies

Номер на част:

IPD70P04P409ATMA2-DG

Описание:

MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Подробно описание:
P-Channel 40 V 73A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

Инвентар:

5108 Брой Нови Оригинални На Склад
12948684
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

IPD70P04P409ATMA2 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS®-P2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
73A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 120µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4810 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
75W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO252-3-313
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IPD70

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
2,500
Други имена
SP002325768
448-IPD70P04P409ATMA2TR
448-IPD70P04P409ATMA2DKR
448-IPD70P04P409ATMA2CT

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
diodes

DMNH4011SK3-13

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

diodes

DMN2500UFB4-7B

MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

vishay-siliconix

SIJA74DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK

vishay-siliconix

SIJH112E-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK