Номер на продукта на производителя:
IPD95R450P7ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPD95R450P7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Подробно описание:
N-Channel 950 V 14A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентар:
2174 Брой Нови Оригинални На Склад
12803488
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
7YqQ
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPD95R450P7ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
CoolMOS™ P7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
950 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
14A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 360µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1053 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
104W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO252-3
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IPD95R450
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
IPD95R450P7ATMA1TR
SP001792318
IPD95R450P7ATMA1CT
IPD95R450P7ATMA1DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF3305PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IRFI530NPBF
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
