Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPI50N10S3L16AKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Подробно описание:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12805535
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPI50N10S3L16AKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Last Time Buy
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
50A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.4V @ 60µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4180 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
100W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO262-3
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
IPI50N10
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
Технически данни
IPx50N10S3L-16
Технически листове
IPI50N10S3L16AKSA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Други имена
IPI50N10S3L-16-DG
SP000407120
INFINFIPI50N10S3L16AKSA1
2156-IPI50N10S3L16AKSA1
IPI50N10S3L-16
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRF540ZLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
862
Номер на част
IRF540ZLPBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.53
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
IPP70N10S3L12AKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
401
Номер на част
IPP70N10S3L12AKSA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.21
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF2804STRL-7P
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
IPP80N06S2H5AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFSL7430PBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IPS80R2K0P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3