Номер на продукта на производителя:
IPI65R110CFDXKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPI65R110CFDXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентар:
12805494
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPI65R110CFDXKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 1.3mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
277.8W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO262-3
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
IPI65R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Други имена
IPI65R110CFD-DG
2156-IPI65R110CFDXKSA1
IPI65R110CFD
INFINFIPI65R110CFDXKSA1
SP000896398
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STI33N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
STI33N60M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.72
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF6725MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
IRF1407S
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IPW50R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
