Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPP042N03LGHKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPP042N03LGHKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12803159
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
I
6
P
G
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPP042N03LGHKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Not For New Designs
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
70A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
79W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3-1
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IPP042
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPP042N03LGHKSA1-DG
Технически данни
IP(B,P)042N03L G
Технически листове
IPP042N03LGHKSA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Други имена
SP000256161
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IPP042N03LGXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
238
Номер на част
IPP042N03LGXKSA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.49
Вид на замяна
Direct
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFS4310TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IRFHM4234TRPBF
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
IRF6775MTR1PBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK