Номер на продукта на производителя:
IPP076N12N3GXKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPP076N12N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентар:
261 Брой Нови Оригинални На Склад
12805104
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPP076N12N3GXKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
120 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 130µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
6640 pF @ 60 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
188W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IPP076
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
SP000652736
IPP076N12N3G
IPP076N12N3 G-DG
IPP076N12N3 G
IPP076N12N3GXKSA1-DG
448-IPP076N12N3GXKSA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFR9024NPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRF6706S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
IRFR4105TRL
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
