Номер на продукта на производителя:
IPP120N20NFDAKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPP120N20NFDAKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентар:
898 Брой Нови Оригинални На Склад
12804885
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPP120N20NFDAKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
84A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 270µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
6650 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
300W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IPP120
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
INFINFIPP120N20NFDAKSA1
2156-IPP120N20NFDAKSA1
SP001108122
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFR3711ZPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
IRFR2905ZTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFR6215PBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
