Номер на продукта на производителя:
IPP60R080P7XKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPP60R080P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентар:
12803398
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
HbPt
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPP60R080P7XKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™ P7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
37A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 590µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2180 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
129W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IPP60R080
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
IPP60R080P7XKSA1-DG
SP001647034
448-IPP60R080P7XKSA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPD60R2K0C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
BSC080P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
IPP80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
