Номер на продукта на производителя:
IPP65R041CFD7XKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPP65R041CFD7XKSA1-DG
Описание:
650V FET COOLMOS TO247
Подробно описание:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентар:
500 Брой Нови Оригинални На Склад
12945764
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPP65R041CFD7XKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™ CFD7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
50A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
41mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 1.24mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4975 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
227W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3-1
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IPP65R041
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
2156-IPP65R041CFD7XKSA1
448-IPP65R041CFD7XKSA1
SP005413358
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IQE013N04LM6CGATMA1
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
IPW65R060CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
IPW65R041CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247