IPP65R110CFDAAKSA1
Номер на продукта на производителя:

IPP65R110CFDAAKSA1

Product Overview

Производител:

Infineon Technologies

Номер на част:

IPP65R110CFDAAKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Инвентар:

12803445
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

IPP65R110CFDAAKSA1 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 1.3mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
277.8W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IPP65R110

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
50
Други имена
IPP65R110CFDAAKSA1-DG
448-IPP65R110CFDAAKSA1
SP000895234

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Алтернативни модели

НОМЕР НА ЧАСТ
AOT42S60L
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
16990
Номер на част
AOT42S60L-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
2.63
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
IPW65R110CFDAFKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
240
Номер на част
IPW65R110CFDAFKSA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
4.28
Вид на замяна
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Свързани продукти
infineon-technologies

IPI60R165CPXKSA1

HIGH POWER_LEGACY

infineon-technologies

IPP90R500C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3

infineon-technologies

IPB80N08S207ATMA1

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPS65R1K5CEAKMA1

MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251