Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPP65R110CFDAAKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPP65R110CFDAAKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12803445
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPP65R110CFDAAKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 1.3mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
277.8W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IPP65R110
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPP65R110CFDAAKSA1-DG
Технически данни
IPx65R110CFDA
Технически листове
IPP65R110CFDAAKSA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
IPP65R110CFDAAKSA1-DG
448-IPP65R110CFDAAKSA1
SP000895234
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
AOT42S60L
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
16990
Номер на част
AOT42S60L-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
2.63
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
IPW65R110CFDAFKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
240
Номер на част
IPW65R110CFDAFKSA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
4.28
Вид на замяна
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPI60R165CPXKSA1
HIGH POWER_LEGACY
IPP90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
IPB80N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IPS65R1K5CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251