Номер на продукта на производителя:
IPS060N03LGAKMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPS060N03LGAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Подробно описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Инвентар:
12804113
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPS060N03LGAKMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
50A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2400 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
56W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO251-3-11
Опаковка / Калъф
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,500
Други имена
IPS060N03L G
IPS060N03LGXK
IPS060N03LGIN
IFEINFIPS060N03LGAKMA1
IPS060N03LGIN-DG
SP000705724
2156-IPS060N03LGAKMA1-IT
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
