Номер на продукта на производителя:
IPS60R600PFD7SAKMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPS60R600PFD7SAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 6A TO251-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентар:
21 Брой Нови Оригинални На Склад
12810886
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPS60R600PFD7SAKMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™PFD7
Състояние на продукта
Last Time Buy
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 80µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
344 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
31W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO251-3
Опаковка / Калъф
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Основен номер на продукта
IPS60R600
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
75
Други имена
SP004748880
448-IPS60R600PFD7SAKMA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IPU80R600P7AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1476
Номер на част
IPU80R600P7AKMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.61
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IMZA65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPN60R2K0PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
NOCATSTYPE
MOSFET PMV77EN TO-236AB REELLP
