Номер на продукта на производителя:
IPT60R028G7XTMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPT60R028G7XTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Подробно описание:
N-Channel 600 V 75A (Tc) 391W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Инвентар:
3279 Брой Нови Оригинални На Склад
12804153
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPT60R028G7XTMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
CoolMOS™ G7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
75A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 28.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1.44mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4820 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
391W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-HSOF-8-2
Опаковка / Калъф
8-PowerSFN
Основен номер на продукта
IPT60R028
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Други имена
IPT60R028G7XTMA1-DG
INFINFIPT60R028G7XTMA1
IPT60R028G7XTMA1CT
IPT60R028G7XTMA1DKR
IPT60R028G7XTMA1TR
SP001579312
2156-IPT60R028G7XTMA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFR7446PBF
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
IRFR3504ZTRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
