Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPU80R4K5P7AKMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPU80R4K5P7AKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Подробно описание:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Инвентар:
1487 Брой Нови Оригинални На Склад
12805787
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPU80R4K5P7AKMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 200µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
250 pF @ 500 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
13W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO251-3-21
Опаковка / Калъф
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Основен номер на продукта
IPU80R4
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPU80R4K5P7AKMA1-DG
Технически данни
IPU80R4K5P7
Технически листове
IPU80R4K5P7AKMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
75
Други имена
IFEINFIPU80R4K5P7AKMA1
2156-IPU80R4K5P7AKMA1
SP001422748
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFU3910
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
IPP060N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
IRL3705Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IRLR2905ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK