Номер на продукта на производителя:
IPW65R280C6FKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPW65R280C6FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Инвентар:
12805684
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
NY8f
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPW65R280C6FKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 440µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
950 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
104W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO247-3-1
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IPW65R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
240
Други имена
2156-IPW65R280C6FKSA1-IT
SP000785060
IPW65R280C6
IPW65R280C6-DG
INFINFIPW65R280C6FKSA1
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
TK14N65W,S1F
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
TK14N65W,S1F-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.41
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPI80P04P405AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
IRFR3411PBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
IRF135S203
MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
