Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IRF1310NSTRR
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF1310NSTRR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12805814
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF1310NSTRR Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
42A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
36mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
D2PAK
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технически данни и документи
Технически данни
IRF1310NS/L
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS non-compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STB30NF10T4
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
971
Номер на част
STB30NF10T4-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.66
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
FDB3682
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
401
Номер на част
FDB3682-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.92
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
IRF1310NSTRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
10386
Номер на част
IRF1310NSTRLPBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.83
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
HUF75631S3ST
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
456
Номер на част
HUF75631S3ST-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.83
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
BUK9640-100A,118
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Nexperia USA Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4646
Номер на част
BUK9640-100A,118-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.64
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPP070N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IRF6668TRPBF
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
IRF7799L2TR1PBF
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK