Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IRF3709ZLPBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF3709ZLPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
Подробно описание:
N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12805217
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF3709ZLPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
87A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.25V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2130 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
79W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-262
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IRF3709ZLPBF-DG
Технически листове
IRF3709ZLPBF
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
SP001574636
*IRF3709ZLPBF
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IPI90N04S402AKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
453
Номер на част
IPI90N04S402AKSA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.25
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPP80N06S2L09AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRL3705NS
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IRFR3303TRR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IRF7832Z
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO