Номер на продукта на производителя:
IRF3808STRLPBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF3808STRLPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентар:
3022 Брой Нови Оригинални На Склад
12805079
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
nLvU
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF3808STRLPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
75 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
106A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 82A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
5310 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
200W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
D2PAK
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IRF3808
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Други имена
IRF3808STRLPBFCT
IRF3808STRLPBFDKR
IRF3808STRLPBFTR
SP001559612
IRF3808STRLPBF-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFR220NCPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
IPB60R330P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
IRFHM3911TRPBF
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
