Номер на продукта на производителя:
IRF6215STRR
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF6215STRR-DG
Описание:
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Подробно описание:
P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентар:
12804710
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF6215STRR Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
150 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
13A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
D2PAK
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS non-compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRF6215STRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
5
Номер на част
IRF6215STRLPBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.54
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
FQB12P20TM
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
FQB12P20TM-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.77
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF7807ZPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRFR7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK