Номер на продукта на производителя:
IRF640NLPBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF640NLPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Подробно описание:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентар:
794 Брой Нови Оригинални На Склад
12804873
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF640NLPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
18A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1160 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
150W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-262
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
IRF640
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
*IRF640NLPBF
SP001563296
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
FQI27N25TU
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Fairchild Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
600
Номер на част
FQI27N25TU-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.48
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPB80N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF6215LPBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IRFR3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK