Номер на продукта на производителя:
IRF6601
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF6601-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Подробно описание:
N-Channel 20 V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Инвентар:
12803935
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF6601 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
26A (Ta), 85A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3440 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
DIRECTFET™ MT
Опаковка / Калъф
DirectFET™ Isometric MT
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,800
Други имена
IRF6601TR
IRF6601CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS non-compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
3 (168 Hours)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPSA70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
IRF1010EZ
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
IRFS4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
