Номер на продукта на производителя:
IRF7460TR
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF7460TR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Подробно описание:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентар:
12805834
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF7460TR Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2050 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SO
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS non-compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
DMN2009LSS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1816
Номер на част
DMN2009LSS-13-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.22
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRLL1503
MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
SPI11N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
IRFH8325TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN