Номер на продукта на производителя:
IRF7769L1TRPBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF7769L1TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Подробно описание:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 124A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Инвентар:
12730 Брой Нови Оригинални На Склад
12853709
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF7769L1TRPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
20A (Ta), 124A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 74A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
11560 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
DirectFET™ Isometric L8
Опаковка / Калъф
DirectFET™ Isometric L8
Основен номер на продукта
IRF7769
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Други имена
SP001566418
IRF7769L1TRPBFDKR
INFIRFIRF7769L1TRPBF
IRF7769L1TRPBFTR
2156-IRF7769L1TRPBF
IRF7769L1TRPBF-DG
IRF7769L1TRPBFCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SJ601(0)-Z-E1-AZ
TRANSISTOR
HAT2164H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
MCM1216-TP
MOSFET P-CH 12V 16A DFN2020-6J
