Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IRF7815PBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF7815PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Подробно описание:
N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12803849
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF7815PBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
150 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 100µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1647 pF @ 75 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SO
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IRF7815PBF-DG
Технически данни
IRF7815PbF
Технически листове
IRF7815PBF
Допълнителна информация
Стандартен пакет
95
Други имена
SP001575250
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
FDS2572
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
19251
Номер на част
FDS2572-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.63
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPU95R750P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
IPB60R280C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
IRF3708
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
IRF40DM229
MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET