Номер на продукта на производителя:
IRF7832TRPBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRF7832TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Подробно описание:
N-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентар:
13071 Брой Нови Оригинални На Склад
12804161
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
rT9W
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRF7832TRPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
20A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.32V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4310 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 155°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SO
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Основен номер на продукта
IRF7832
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Други имена
IRF7832PBFCT
IRF7832PBFDKR
SP001570470
*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFTR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPA65R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
IRF1407STRR
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IRF1010NL
MOSFET N-CH 55V 85A TO262