Номер на продукта на производителя:
IRFR1018ETRPBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRFR1018ETRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Подробно описание:
N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Инвентар:
25604 Брой Нови Оригинални На Склад
12805003
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRFR1018ETRPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
56A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 100µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
110W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252AA (DPAK)
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IRFR1018
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Ресурси за проектиране
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Други имена
INFINFIRFR1018ETRPBF
2156-IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBFDKR
IRFR1018ETRPBFCT
IRFR1018ETRPBFTR
SP001566962
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFPS3810
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
IRFS33N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRFZ44VZSPBF
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
