Номер на продукта на производителя:
IRFSL3107PBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRFSL3107PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Подробно описание:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентар:
12807089
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
gtfk
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRFSL3107PBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
75 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
195A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
9370 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
370W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-262
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
IRFSL3107
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
2156-IRFSL3107PBF
INFINFIRFSL3107PBF
SP001557588
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRFSL3207ZPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
880
Номер на част
IRFSL3207ZPBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.46
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF9520NSTRL
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
IRFR4105TRR
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
IRF5803
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
