Номер на продукта на производителя:
IRFSL4229PBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRFSL4229PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
Подробно описание:
N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентар:
12805048
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRFSL4229PBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
250 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
45A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4560 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
330W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-262
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
SP001567750
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF9328TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
IRF9Z24NLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO262
IRF9317TRPBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
