Номер на продукта на производителя:
IRFSL5615PBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRFSL5615PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Подробно описание:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентар:
984 Брой Нови Оригинални На Склад
12805919
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRFSL5615PBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
150 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
33A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
42mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 100µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1750 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
144W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-262
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
IRFSL5615
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
SP001567730
IFEINFIRFSL5615PBF
2156-IRFSL5615PBF
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF8721PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRF3315STRRPBF
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
IRF9520NLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
