Номер на продукта на производителя:
IRL530NSTRLPBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRL530NSTRLPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентар:
21055 Брой Нови Оригинални На Склад
12814792
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRL530NSTRLPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
17A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.8W (Ta), 79W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
D2PAK
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IRL530
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Ресурси за проектиране
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Други имена
SP001568266
IRL530NSTRLPBFDKR
IRL530NSTRLPBF-DG
IRL530NSTRLPBFCT
IRL530NSTRLPBFTR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF7401PBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
CSD17578Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
IRFS7430TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
