Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IRLI2910
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRLI2910-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
Подробно описание:
N-Channel 100 V 31A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12823247
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRLI2910 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
31A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
63W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220AB Full-Pak
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IRLI2910-DG
Технически данни
IRLI2910
Технически листове
IRLI2910
Ресурси за проектиране
IRLI2910 Saber Model
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
*IRLI2910
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS non-compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
AOTF2916L
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
AOTF2916L-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.46
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFP22N65X2
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
IRFS4228TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
IPP60R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
IXTT3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO268