Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IRLS4030TRLPBF
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IRLS4030TRLPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентар:
1350 Брой Нови Оригинални На Склад
12806748
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
e
X
h
8
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRLS4030TRLPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
180A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
11360 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
370W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
D2PAK
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IRLS4030
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IRLS4030TRLPBF-DG
Технически данни
IRLS(L)4030PBF
Технически листове
IRLS4030TRLPBF
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Други имена
SP001552944
ROCINFIRLS4030TRLPBF
IRLS4030TRLPBFTR
IRLS4030TRLPBFDKR
IRLS4030TRLPBFCT
2156-IRLS4030TRLPBF
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SPB02N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
SPP20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
SPI07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3