Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SPB03N60C3ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
SPB03N60C3ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12806513
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SPB03N60C3ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.9V @ 135µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
38W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-3-2
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
SPB03N
Технически данни и документи
HTML Технически лист
SPB03N60C3ATMA1-DG
Технически данни
SPB03N60C3
Технически листове
SPB03N60C3ATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
SPB03N60C3ATMA1TR
SPB03N60C3INCT-NDR
SPB03N60C3INDKR
SPB03N60C3
SPB03N60C3INTR
SPB03N60C3INTR-DG
SPB03N60C3ATMA1DKR
SPB03N60C3INDKR-DG
SPB03N60C3ATMA1CT
SPB03N60C3INCT
2156-SPB03N60C3ATMA1-ITTR
SPB03N60C3XT
SPB03N60C3XTINCT-DG
SPB03N60C3XTINTR-DG
SPB03N60C3XTINTR
SPB03N60C3INCT-DG
SP000013517
SPB03N60C3XTINCT
INFINFSPB03N60C3ATMA1
SPB03N60C3INTR-NDR
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STB6N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
11994
Номер на част
STB6N60M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.57
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRLML2502GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
TN2106K1-G
MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
ISP13DP06NMSATMA1
MOSFET P-CH 60V SOT223
SPA07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP