SPB03N60C3ATMA1
Номер на продукта на производителя:

SPB03N60C3ATMA1

Product Overview

Производител:

Infineon Technologies

Номер на част:

SPB03N60C3ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Инвентар:

12806513
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

SPB03N60C3ATMA1 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.9V @ 135µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
38W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-3-2
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
SPB03N

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
1,000
Други имена
SPB03N60C3ATMA1TR
SPB03N60C3INCT-NDR
SPB03N60C3INDKR
SPB03N60C3
SPB03N60C3INTR
SPB03N60C3INTR-DG
SPB03N60C3ATMA1DKR
SPB03N60C3INDKR-DG
SPB03N60C3ATMA1CT
SPB03N60C3INCT
2156-SPB03N60C3ATMA1-ITTR
SPB03N60C3XT
SPB03N60C3XTINCT-DG
SPB03N60C3XTINTR-DG
SPB03N60C3XTINTR
SPB03N60C3INCT-DG
SP000013517
SPB03N60C3XTINCT
INFINFSPB03N60C3ATMA1
SPB03N60C3INTR-NDR

Екологична и износна класификация

Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Алтернативни модели

НОМЕР НА ЧАСТ
STB6N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
11994
Номер на част
STB6N60M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.57
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
infineon-technologies

IRLML2502GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

microchip-technology

TN2106K1-G

MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB

infineon-technologies

ISP13DP06NMSATMA1

MOSFET P-CH 60V SOT223

infineon-technologies

SPA07N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP