SPB80N06SL2-7
Номер на продукта на производителя:

SPB80N06SL2-7

Product Overview

Производител:

Infineon Technologies

Номер на част:

SPB80N06SL2-7-DG

Описание:

N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Подробно описание:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Инвентар:

600 Брой Нови Оригинални На Склад
12936160
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

SPB80N06SL2-7 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Bulk
Поредица
OptiMOS®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
55 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
80A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 150µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3160 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
210W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-3-2
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
352
Други имена
INFINFSPB80N06SL2-7
2156-SPB80N06SL2-7

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
Not applicable
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
onsemi

NTD4855NT4H

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

RJK03J7DPA-00#J5A

N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

renesas-electronics-america

RJK0358DPA-00#J0

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK3306B-S17-AY

N-CHANNEL POWER MOSFET