Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IXFA26N50P3
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFA26N50P3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Подробно описание:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12819154
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
O
U
K
7
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFA26N50P3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
HiPerFET™, Polar3™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
500 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
26A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 4mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2220 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
500W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263AA (IXFA)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IXFA26
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IXFA26N50P3-DG
Технически данни
IXFx26N50P3
Технически листове
IXFA26N50P3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
-IXFA26N50P3
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
FDB20N50F
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
12950
Номер на част
FDB20N50F-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.47
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFK300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A TO264
IXTC180N085T
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
IXTA182N055T
MOSFET N-CH 55V 182A TO263
IXFE48N50Q
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B