Номер на продукта на производителя:
IXFH34N65X2
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFH34N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Подробно описание:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Инвентар:
89 Брой Нови Оригинални На Склад
12820623
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
v11b
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFH34N65X2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
HiPerFET™, Ultra X2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
34A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
105mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5.5V @ 2.5mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3330 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
540W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247 (IXTH)
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IXFH34
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Други имена
IXFH34N65X2XINACTIVE
IXFH34N65X2X
IXFH34N65X2X-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFX24N90Q
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
IXTH68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO247
IXFT340N075T2
MOSFET N-CH 75V 340A TO268