Номер на продукта на производителя:
IXFH50N60P3
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFH50N60P3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Подробно описание:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Инвентар:
386 Брой Нови Оригинални На Склад
12821389
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFH50N60P3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
HiPerFET™, Polar3™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
50A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 4mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1040W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247AD (IXFH)
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IXFH50
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTK21N100
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
IXTP05N100P
MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
