Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IXFH60N65X2-4
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFH60N65X2-4-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
Подробно описание:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Инвентар:
33 Брой Нови Оригинални На Склад
12821372
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
d
c
X
Q
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFH60N65X2-4 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
HiPerFET™, Ultra X2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 4mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
780W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247-4L
Опаковка / Калъф
TO-247-4
Основен номер на продукта
IXFH60
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IXFH60N65X2-4-DG
Технически листове
IXFH60N65X2-4
Технически данни
IXFH60N65X2-4
Building, Home Automation Appl Guide
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFX44N60
MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
IXTF1N400
MOSFET N-CH 4000V 1A I4PAC
IXFH270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO247
FMD40-06KC
MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC