Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IXFH86N30T
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFH86N30T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
Подробно описание:
N-Channel 300 V 86A (Tc) 860W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Инвентар:
28 Брой Нови Оригинални На Склад
12821339
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFH86N30T Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
HiPerFET™, Trench
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
300 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
86A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 4mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
860W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247AD (IXFH)
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IXFH86
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IXFH86N30T-DG
Технически данни
IXF(H,T)86N30T
Технически листове
IXFH86N30T
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRFP4229PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1265
Номер на част
IRFP4229PBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
2.37
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
IXTM5N100
MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
IXFP56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
IXFX12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3