IXFH8N80
Номер на продукта на производителя:

IXFH8N80

Product Overview

Производител:

IXYS

Номер на част:

IXFH8N80-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD
Подробно описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Инвентар:

12913928
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
swhN
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

IXFH8N80 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
-
Поредица
HiPerFET™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
8A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 2.5mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
180W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247AD (IXFH)
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IXFH8

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
30

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Алтернативни модели

НОМЕР НА ЧАСТ
STW10NK80Z
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
39
Номер на част
STW10NK80Z-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
2.27
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
vishay-siliconix

IRFR420APBF

MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

vishay-siliconix

IRFIBC20GPBF

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3

vishay-siliconix

SI3441BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP

vishay-siliconix

SI8405DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT