Номер на продукта на производителя:
IXFN26N90
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFN26N90-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Подробно описание:
N-Channel 900 V 26A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентар:
12820003
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFN26N90 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
HiPerFET™
Състояние на продукта
Not For New Designs
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
900 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
26A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 8mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
600W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Chassis Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-227B
Опаковка / Калъф
SOT-227-4, miniBLOC
Основен номер на продукта
IXFN26
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
10
Други имена
IXFN26N90-NDR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IXFN40N90P
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
IXFN40N90P-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
29.98
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTH2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
IXFN80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
IXFN240N25X3
MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
