Номер на продукта на производителя:
IXFP10N80P
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFP10N80P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Подробно описание:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
242 Брой Нови Оригинални На Склад
12819454
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFP10N80P Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
HiPerFET™, Polar
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
10A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5.5V @ 2.5mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
300W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IXFP10
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTK82N25P
MOSFET N-CH 250V 82A TO264
IXFH26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
IXFA6N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
