Номер на продукта на производителя:
IXFP3N120
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFP3N120-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Подробно описание:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
5212 Брой Нови Оригинални На Склад
12819858
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
I4Qe
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFP3N120 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
HiPerFET™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
1200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 1.5mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
200W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IXFP3
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFX14N100
MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3
IXTA120N04T2
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
IXTV230N085T
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220
