Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IXFR38N80Q2
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXFR38N80Q2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Подробно описание:
N-Channel 800 V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12913234
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
d
p
k
F
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXFR38N80Q2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
-
Поредица
HiPerFET™, Q2 Class
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
28A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 8mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
8340 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
416W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
ISOPLUS247™
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IXFR38
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
APT38F80B2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Microchip Technology
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
37
Номер на част
APT38F80B2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
13.93
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFH24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
IRFRC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
SI1450DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70