Номер на продукта на производителя:
IXTA64N10L2
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXTA64N10L2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
Подробно описание:
N-Channel 100 V 64A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
73 Брой Нови Оригинални На Склад
12821167
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
GTzY
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXTA64N10L2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
Linear L2™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
64A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3620 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
357W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IXTA64
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
-IXTA64N10L2
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTH30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
IXFT60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
IXTP12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB