Номер на продукта на производителя:
IXTH110N10L2
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXTH110N10L2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Подробно описание:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Инвентар:
12821833
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
oayc
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXTH110N10L2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
Linear L2™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
110A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
600W (Tc)
Работна температура
-
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247 (IXTH)
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IXTH110
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Други имена
624231
Q5291125
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTF6N200P3
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
IXFP26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
IXFQ24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
