Номер на продукта на производителя:
IXTH30N60P
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXTH30N60P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Подробно описание:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Инвентар:
648 Брой Нови Оригинални На Склад
12820305
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXTH30N60P Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
Polar
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
30A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
5050 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
540W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247 (IXTH)
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IXTH30
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTA180N10T7
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IXFN23N100
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
IXTY1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252