IXTK120N25
Номер на продукта на производителя:

IXTK120N25

Product Overview

Производител:

IXYS

Номер на част:

IXTK120N25-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Подробно описание:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 730W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)

Инвентар:

12909275
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

IXTK120N25 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
-
Поредица
MegaMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
250 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
120A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7700 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
730W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-264 (IXTK)
Опаковка / Калъф
TO-264-3, TO-264AA
Основен номер на продукта
IXTK120

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
30

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Алтернативни модели

НОМЕР НА ЧАСТ
IXTK120N25P
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
302
Номер на част
IXTK120N25P-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
8.98
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
vishay-siliconix

IRF710STRLPBF

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFU9310PBF

MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA

vishay-siliconix

IRF9Z34SPBF

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

vishay-siliconix

IRLZ24L

MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3